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官方微信摘要 名稱碳化硅單晶的制造方法公開(kāi)號(hào)CN101120124公開(kāi)日2008.02.06主分類號(hào)C30B29/36(2006.01)I分類號(hào)C30B29/36(2006.01)I;C23C1...
| 名稱 | 碳化硅單晶的制造方法 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | CN101120124 | 公開(kāi)日 | 2008.02.06 |
| 主分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I | 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/42( |
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200680004816.5 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/td> | 申請(qǐng)日 | 2006.05.23 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 2005.6.7 JP 167326/2005 | |
| 申請(qǐng)人 | HOYA株式會(huì)社 | 地址 | 日本東京都 |
| 發(fā)明人 | 河原孝光;八木邦明;八田直記;長(zhǎng)澤弘幸 | 國(guó)際申請(qǐng) | 2006-05-23 PCT/JP2006/310225 |
| 國(guó)際公布 | 2006-12-14 WO2006/132082 日 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 2007.08.14 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人 | 張平元;趙仁臨 |
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種碳化硅單晶的制造方法，在使碳化硅單晶在單晶基板上外延生長(zhǎng)時(shí)，能夠減少在碳化硅單晶內(nèi)產(chǎn)生的表面缺陷。該方法是在單晶基板(1)的表面使碳化硅單晶層外延生長(zhǎng)的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板(1)的表面，形成在與該基板表面(1)基本平行的一個(gè)方向上延伸的多個(gè)起伏(2)，且該起伏(2)在上述單晶基板的厚度方向上波動(dòng)，并且，設(shè)置該起伏(2)，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長(zhǎng)而傳播的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會(huì)合。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003604號(hào)