手機(jī)資訊
官方微信摘要 申請(qǐng)人：中中國(guó)科學(xué)院研究生院專利號(hào)：CN102230216A一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法，屬于單晶金剛石制備技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)調(diào)控等離子體的流體特性，構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體...
申請(qǐng)人：中中國(guó)科學(xué)院研究生院
專利號(hào)：CN102230216A
一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法，屬于單晶金剛石制備技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)調(diào)控等離子體的流體特性，構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體邊界層，使單晶金剛石能夠在大尺寸襯底上進(jìn)行穩(wěn)定生長(zhǎng)。從而避免當(dāng)前直流等離子體沉積單晶金剛石的多晶化和小尺寸襯底的問(wèn)題。優(yōu)點(diǎn)在于提供了一條適合采用大尺寸籽晶、穩(wěn)定制備單晶金剛石的途徑，使單晶金剛石穩(wěn)定生長(zhǎng)區(qū)尺寸在等離子體運(yùn)動(dòng)軸線方向達(dá)到7cm，并有效抑制了單晶生長(zhǎng)表面的多晶化。
豫公網(wǎng)安備41019702003604號(hào)