摘要：碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途。其中，大量用于制作電熱元件硅碳棒，并可以用于大功率電子器件制造。

       根據中國機床工業協會磨料磨具專委會碳化硅專家委員會的數據，截至2012年底，全球碳化硅產能達260萬噸以上，產能達到1萬噸以上的國家有13個，占全球總產能的98%。其中中國碳化硅產能達到220萬噸，占全球總產能的84%。整體而言，我國碳化硅冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗達到世界領先水平。黑、綠碳化硅原塊的質量水平也屬世界級。

       與此同時，碳化硅是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。如今，我國雖然已在碳化硅生產上取得較大成績，但是在碳化硅大功率器件開發上一直處于落后地位。

       幸運的是，該不利局面現已得到改變。

       報道指出，中國首次實現碳化硅大功率器件的批量生產，在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業內專家指出，這一突破有望緩解中國的能源危機。

       有關負責人表示，利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環境下工作，“與傳統的硅器件相比，碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設備體積和重量，能大幅降低各項設備系統的整體成本并提高系統的可靠性”。

       數據表明，屬于“寬禁帶”的第三代半導體的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同時，提高系統其他部件的功效，可節能20%至90%。

       中國電器工業協會電力電子分會常務副理事長肖向鋒指出，這一成果對于煤炭、石油等資源越發緊缺的中國具有現實意義。

       “為應對能源危機，國家提出節能減排，電能的輸送、分配都離不開電力電子技術”，肖向鋒解釋說，現有的電子技術基于半導體硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研發、生產無疑可解“燃眉之急”。