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官方微信摘要 通過(guò)在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷，研究人員增加了材料存儲(chǔ)電荷的能力。研究人員使用石墨烯制造碳化硅晶體，當(dāng)碳化硅被加熱到2000℃時(shí)，表面上的硅原子移動(dòng)到氣相，并且只剩下碳原...
通過(guò)在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷，研究人員增加了材料存儲(chǔ)電荷的能力。研究人員使用石墨烯制造碳化硅晶體，當(dāng)碳化硅被加熱到2000℃時(shí)，表面上的硅原子移動(dòng)到氣相，并且只剩下碳原子。由于石墨烯層的高質(zhì)量及其先天惰性，石墨烯與其周圍環(huán)境不容易反應(yīng)，而應(yīng)用通常依賴于材料和周圍環(huán)境之間的控制互動(dòng)，如氣體分子。這個(gè)領(lǐng)域的研究人員正在進(jìn)行的討論是，是否可能激活平面上的石墨烯或是否需要邊緣。 研究人員調(diào)查了以受控方式引入表面缺陷時(shí)會(huì)發(fā)生什么，并以這種方式試圖更詳細(xì)地了解石墨烯的性質(zhì)如何與其結(jié)構(gòu)相關(guān)。您好 歡迎來(lái)到磨料磨具網(wǎng) 請(qǐng)登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
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