國內(nèi)光電龍頭公司三安光電正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，或預(yù)示這個細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)入爆發(fā)前夜。最近兩天，在昆山舉辦的“2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會高峰論壇”上，5G與化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景議題備受關(guān)注。

　　有業(yè)內(nèi)人士分析認(rèn)為，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料將迎來發(fā)展機(jī)遇。三安光電、國民技術(shù)、揚(yáng)杰科技、海特高新等多家上市公司均已積極布局。英飛凌(Infineon)方面預(yù)計，未來GaN將占據(jù)75%的基站射頻功率器件市場。

　　第三代半導(dǎo)體脫穎而出

　　5G時代，一部手機(jī)可能就需要16顆PA(功率放大器)芯片，也需要更多的基站、大規(guī)模天線(Massive MIMO)、濾波器等，這給第三代半導(dǎo)體帶來發(fā)展機(jī)遇。在“2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會高峰論壇”上，多位與會嘉賓聚焦5G與化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景。

　　“銳迪科在射頻前端市場厚積薄發(fā)，今年營收將再次回到1億美元，預(yù)計2018年至2019年將繼續(xù)高速增長?！变J迪科助理副總裁賈斌在論壇上介紹。銳迪科主要生產(chǎn)移動電話通訊支持芯片，包括功率放大器、轉(zhuǎn)換器和接收器等。

　　第三代半導(dǎo)體的節(jié)能效果尤其值得稱道。據(jù)蘇州能訊技術(shù)副總裁裴軼介紹，如果采用GaN功放，就會較傳統(tǒng)的LDMOS效率提升10%。這意味著每個基站可節(jié)電50瓦，全國基站每年可節(jié)電130億度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳選擇。

　　QYResearch的市場研究報告顯示，2016年全球射頻前端市場規(guī)模為125億美元，預(yù)計到2022年將達(dá)到259億美元，年復(fù)合增長率為12.9%。

　　多家A股公司已布局

　　“在第三代半導(dǎo)體方面，三安光電將利用安芯基金，在RF射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面進(jìn)行布局，目標(biāo)是建設(shè)面向下一代無線通信GaN器件平臺。”在本屆高峰論壇上，三安光電RF市場總監(jiān)陳文欣明確指出了公司具體布局方向。

　　作為光電龍頭，三安光電早就大手筆布局第三代半導(dǎo)體。2015年6月，三安光電引入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡稱“大基金”)，意在推動以III—V 族化合物半導(dǎo)體為重點的集成電路業(yè)務(wù)進(jìn)一步做大做強(qiáng)。此后，公司聯(lián)合福建省、大基金等共同設(shè)立了規(guī)模500億的福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(簡稱“安芯基金”，首期規(guī)模75.1億元)。

　　在今年半年報里，三安光電披露，子公司廈門市三安集成電路有限公司(承擔(dān)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù))已向47家公司提交樣品，其中11顆芯片進(jìn)入微量產(chǎn)，此外還布局了光通訊芯片、濾波器等領(lǐng)域。據(jù)悉，三安光電目前在第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上首先聚焦移動終端，產(chǎn)品已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，每月訂單近百片wafer(晶圓)，預(yù)計2018年至2019年將對公司業(yè)績產(chǎn)生貢獻(xiàn)。

　　除三安光電外，揚(yáng)杰科技、海特高新、國民技術(shù)等多家上市公司均已涉足第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

　　揚(yáng)杰科技在近期接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，其碳化硅芯片技術(shù)已達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。早在2015年7月，揚(yáng)杰科技即錨定第三代半導(dǎo)體，定增募資不超過10億元，用于SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)等項目。公司在半年報中表示，持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體項目的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，針對650V/1200V碳化硅JBS產(chǎn)品，開發(fā)并改進(jìn)可與硅線相互兼容的生產(chǎn)工藝，以增強(qiáng)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)實時調(diào)整的能動性。

　　國民技術(shù)則剛剛開始進(jìn)入這個領(lǐng)域。公司8月15日披露，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導(dǎo)體生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目投資協(xié)議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導(dǎo)體外延片材料為核心基礎(chǔ)，在邛崍市打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，項目總投資將不少于80億元，預(yù)計三年初具規(guī)模。

　　此外，海特高新通過其子公司海威華芯建設(shè)6英寸的第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線。中車時代電氣(中國中車子公司)在高功率SiC器件方面處于國內(nèi)領(lǐng)先。