20 世紀 50 年代，硅基芯片成為那把開啟“地球村”的金鑰匙。2020 年，5G、新能源等成為全球關注的新風向，市場已經敏銳地注意到，這次或將由寬禁帶半導體成為那把開啟世界產業革命的鑰匙。

　　禁帶寬度大是第三代半導體材料典型

　　第三代半導體材料普遍都具有寬禁帶(禁帶寬度 Eg>2.3eV)、高擊穿電場、較大的電子飽和速度和抗輻射能力等特點。

　　其中，禁帶寬度大于 2.3eV 是第三代半導體材料最為典型的特點，也是碳化硅、氮化鎵某些性能優于硅材料的主要原因。

　　具體來說，碳化硅材料的熱導率更高，在高功率、高溫和 1200V 以上的大電力領域中具備更大的應用潛力，比如智能電網、交通、新能源汽車、光伏、風電等領域；

　　氮化鎵材料電子遷移率較高，適合在高頻率、1000V 以下的高頻小電力領域中應用，有三大應用方向，分別是射頻、光電、電力電子器件。

　　新基建的加碼提供了寶貴機遇

　　貫穿于新基建中的半導體產品主要有三類，特別是以氮化鎵為核心的射頻半導體，在新基建中頗具橋頭堡意義。

　　①以碳化硅以及 IGBT 為核心的功率半導體；

　　②以氮化鎵為核心的射頻半導體；

　?、垡?AI 芯片為核心的 SOC 芯片、人工智能芯片。

　　在新基建與國產替代的加持下，國內寬禁帶半導體產業將迎來巨大的發展機遇。

　　氮化鎵和碳化硅為首的第三代半導體是支持新基建的核心材料，以及第三代半導體器件在新興應用領域的滲透迅猛，發展的意義不言而喻。

　　SiC 基 SBD、MOSFET 及 GaN 基 HEMT 功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車的核心器件。

　　而時下國內新基建提速是大勢所趨也是國家倡導，更為我國第三代半導體產業發展提供了新契機。

　　以第三代半導體材料為基礎制備的電子器件是支撐新基建 5G 基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領域的關鍵核心器件。

　　最有機會實現技術超車的一代

　　新基建浪潮下，無論是 5G、物聯網還是數據中心、人工智能等，都潛藏著海量的芯片需求。

　　受到國際貿易形勢等因素影響，我國相關產業面臨著高端芯片等核心技術受制于人的局面，迫切需要新一代半導體技術的發展與支撐。

　　以碳化硅和氮化鎵為核心材料的寬禁帶半導體，彌補了硅的不足，成為繼硅之后最有前景的半導體材料。

　　寬禁帶功率半導體是我國與發達國家差距相對較小的領域，最有機會實現技術上的彎道超車，特別是實現高壓大功率器件，使我們擺脫功率半導體中的被動局限，也能做到 0 到 1 的突破與首創。

　　有望成為產業鏈國產化的重要抓手

　　近些年來，中國的對半導體產業鏈的重視亦已凸顯，不論是新基建對 5G、集成電路的重視，還是兩期國家大基金的成立，都為芯片產業提供了土壤，也將惠及半導體材料的創新。

　　我國第三代半導體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發展的一大動力。

　　2019 年我國第三大半導體器件市場規模達到 86.29 億元，增長率為 99.7%；

　　到 2022 年，中國第三大半導體器件市場規模有望沖破 608.21 億元，增長率為 78.4%。

　　消費市場的熱度背后，是整個第三代半導體產業鏈上下游的積極聯動。目前，我國已經形成完備的碳化硅材料、氮化鎵材料產業鏈。

　　取得第三代半導體材料上的突破，或許就是中國集成電路產業彎道超車的一個有力抓手。

　　首次站位寬禁帶半導體產業發展視角

　　11 月 6 日，2020 年中國寬禁帶半導體技術論壇發布了《寬禁帶功率半導體“十四五”建議書》。

　　這是我國半導體行業首次站位寬禁帶半導體產業發展視角，為國家戰略新興產業頂層設計及行業內企業發展的戰略選擇提供了重要依據。

　　《建議書》中提到：建立健全支撐碳化硅、氮化鎵材料、器件、模塊和應用全產業鏈的配套產業體系，重點建設配套輔助材料、制造設備、芯片封裝和監測設備等的自主保障能力；

　　夯實寬禁帶功率半導體材料和器件產業化基礎，在 5G 等領域實現重點突破等具體產業發展問題。

　　當前，我國把寬禁帶半導體產業列入國家重大戰略，以碳化硅和氮化鎵為首的寬禁帶半導體是支持新基建的核心材料。

　　結尾：

　　2020 年是“十三五”和“十四五”時期承上啟下的重要一年，站在這一時間點上，面向未來。

　　而寬禁帶半導體成為中國高科技產業的重要關注點，在國家政策的扶持和新基建引領下，也將成為未來半導體產業發展的重要引擎，行業發展也將迎來新契機。