為什么只有在晶圓背面減薄時(shí)會(huì)使用griniding工藝？在芯片制程中并未看到該工藝，同樣有減薄作用，為什么在芯片制程中用的是cmp？

       Grinding與cmp的原理？
       Grinding，機(jī)械磨削，是一種單純用機(jī)械力去除晶圓表面材料的工藝。一般不會(huì)用到研磨液，只是用超純水進(jìn)行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。
       而cmp是化學(xué)機(jī)械研磨，是化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械力結(jié)合去除材料的工藝。目標(biāo)材料先和cmp slurry中的氧化劑，酸，堿等發(fā)生微反應(yīng)，在在拋光頭，拋光墊，slurry中的磨料的共同作用下，通過機(jī)械力將微反應(yīng)生成的反應(yīng)物去除，達(dá)到減薄，拋光的目的。
       為什么一般grinding只能用在晶圓減薄而不用在芯片的制造？
       1，Grinding材料去除速率很高，減薄工藝通常需要去除數(shù)百微米的材料，用cmp來減薄速率慢且晶圓背面沒有必要保持那么小的粗糙度。
       2，Grinding加工成本低，不需要slurry，機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)相對(duì)來說簡(jiǎn)單。
但在芯片制造過程中，芯片的每一層都需要極高的平整度和粗糙度，而單純的機(jī)械磨削會(huì)產(chǎn)生大量的缺陷，會(huì)刮傷圖形，且粗糙度過大，因此不適合用在芯片制造中。