摘要 中科院物理研究所與北京天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司經(jīng)過8個月的努力,合作研發(fā)出了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的第二代碳化硅晶體生長爐,進一步優(yōu)化了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶體生長工藝,使晶體質(zhì)量...
中科院物理研究所與北京天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司經(jīng)過8個月的努力,合作研發(fā)出了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的第二代碳化硅晶體生長爐,進一步優(yōu)化了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶體生長工藝,使晶體質(zhì)量的穩(wěn)定性和產(chǎn)率得到提高。同時,在國內(nèi)首次建立了一條完整的從切割、研磨到化學(xué)機械拋光(CMP)的碳化硅晶片中試生產(chǎn)線,建成了百級超凈室,開發(fā)出碳化硅晶片表面處理,清洗、封裝等工藝技術(shù),使產(chǎn)品達到了即開即用(Epi-ready)的水準。日前,第一批中試批量生產(chǎn)的6H和4H晶型碳化硅晶片產(chǎn)品已經(jīng)下線并發(fā)往國內(nèi)用戶。 碳化硅晶片是第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,在微電子、電力電子和半導(dǎo)體照明器件等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用和廣闊的市場前景。此前,碳化硅晶體生長及加工技術(shù)被國外少數(shù)公司壟斷,國內(nèi)所需的碳化硅晶片幾乎全部依賴進口。中科院物理所自1999年開展碳化硅晶體生長研究工作,在攻克晶體生長關(guān)鍵技術(shù)并獲得高質(zhì)量晶片之后,率先在國內(nèi)開展了碳化硅晶體生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化工作。2006年8月與上海匯合達投資管理有限公司、新加坡吉星藍光科技有限責(zé)任公司共同成立了國內(nèi)第一家致力于碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的公司——北京天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司。這次產(chǎn)品中試成果,標志著碳化硅晶片的國產(chǎn)化進入了一個新階段。
物理所碳化硅產(chǎn)業(yè)化工作得到了中科院物質(zhì)科學(xué)基地、科技部863計劃和其它國家相關(guān)部門的大力支持。