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SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡(jiǎn)要介紹

SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡(jiǎn)要介紹
SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡(jiǎn)要介紹
SiC和GaN等半導(dǎo)體襯底的精密研磨拋光材料簡(jiǎn)要介紹

通過(guò)改進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體襯底的研磨拋光工藝以降低成本3M精密電子研磨材料用于研磨半導(dǎo)體、電子器件和功率半導(dǎo)體的基板,如SiC晶片(碳化硅)、GaN(氮化鎵)和Ga2O3晶片(...

日期 2024-11-22   
投資3.5億美元,泰國(guó)將建立首個(gè)碳化硅(SiC)晶圓工廠

投資3.5億美元,泰國(guó)將建立首個(gè)碳化硅(SiC)晶圓工廠

據(jù)泰國(guó)媒體近日?qǐng)?bào)道,泰國(guó)計(jì)劃建立其首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,預(yù)計(jì)將在2027年正式投入運(yùn)營(yíng),標(biāo)志著泰國(guó)在半導(dǎo)...

日期 2024-10-29   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅作為一種新興的半導(dǎo)體材料,具有導(dǎo)熱率高、寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率等特性,使得其成為目前研發(fā)比較集中的半導(dǎo)體材料之一。因?yàn)檫@些性能,碳化硅可以廣泛地應(yīng)用于襯...

日期 2024-08-05   

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

SiC作為襯底材料,單晶SiC的表面粗糙度直接影響其在電子器元件中工作的效果與性能。為確保單晶SiC在半導(dǎo)體、襯底材料中的應(yīng)用的穩(wěn)定性,其表面粗糙度往往要達(dá)到納米級(jí)或以...

日期 2024-06-27   

砂輪參數(shù)對(duì)SiC減薄工藝的影響

0引言SiC器件正面工藝完成后,需要用到減薄工藝對(duì)襯底進(jìn)行減薄加工,降低器件的導(dǎo)通電阻。尤其對(duì)于600-1200V的中低壓SiC器件,襯底電阻帶來(lái)的損耗影響了SiC器件...

日期 2024-05-30   

SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研

SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研
SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研
SiC研磨行業(yè)深度調(diào)研

Part01三代半導(dǎo)體市場(chǎng)1.半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程硅基材料是目前電力電子領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料,也是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎(chǔ)。第一代元素半導(dǎo)體,主要包括以硅...

日期 2024-05-29   
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車(chē)、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件...

日期 2023-06-16   
DISCO推出新型自動(dòng)研磨機(jī),可加工8英寸的硅和SiC晶圓

DISCO推出新型自動(dòng)研磨機(jī),可加工8英寸的硅和SiC晶圓

近日,DISCO公司開(kāi)發(fā)了DFG8541,這是一款全自動(dòng)研磨機(jī),可以加工最大尺寸為8英寸的硅和SiC晶圓。它已在...

日期 2023-01-13   

這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國(guó)際展示場(chǎng))上,首次舉辦了“學(xué)術(shù)獎(jiǎng)”,以表彰有前途的大學(xué)/研究生院半導(dǎo)體研究。最高獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給大...

日期 2023-01-09   
通化市碳化硅(SiC)超細(xì)粉體對(duì)外合作項(xiàng)目

通化市碳化硅(SiC)超細(xì)粉體對(duì)外合作項(xiàng)目

項(xiàng)目簡(jiǎn)介1.1項(xiàng)目背景1.1.1產(chǎn)品簡(jiǎn)介碳化硅超細(xì)粉體是一種平均粒徑小于1μm(微米),SiC純度大于99%,游...

日期 2020-01-20   
碳化硅(SiC)增利效應(yīng)拉高 市場(chǎng)競(jìng)逐日趨白熱化

碳化硅(SiC)增利效應(yīng)拉高 市場(chǎng)競(jìng)逐日趨白熱化

多家供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體浪潮,從而為在市場(chǎng)上與傳統(tǒng)的硅基器件進(jìn)...

日期 2019-11-08   

SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)加速攀升 汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成主要推手

根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement調(diào)查指出,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2017年的3.02億美元,快速成長(zhǎng)至2023年的13.99億美元,201...

日期 2018-07-13   

我國(guó)半導(dǎo)體大直徑SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

近日,在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱(chēng)中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。中國(guó)...

日期 2018-06-08   

一種通過(guò)高速壓制制備高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Al基復(fù)合材料的方法

申請(qǐng)?zhí)?201710899306.9申請(qǐng)日:2017.09.28國(guó)家/省市:中國(guó)安徽(34)公開(kāi)號(hào):107641727A公開(kāi)日:2018.01.30主分類(lèi)號(hào):C22C1...

日期 2018-02-06   

一種ZrB2?SiC陶瓷材料注漿成型燒結(jié)方法

申請(qǐng)?zhí)?201720079346.4申請(qǐng)日:2017.01.21國(guó)家/省市:中國(guó)寧夏(64)主分類(lèi)號(hào):B03C1/02(2006.01)授權(quán)公告號(hào):206474279U...

日期 2017-09-18   
一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復(fù)合涂層的制備方法

一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復(fù)合涂層的制備方法

申請(qǐng)?zhí)?201710293168.X申請(qǐng)日:2017.04.28國(guó)家/省市:中國(guó)哈爾濱(93)公開(kāi)號(hào):10705...

日期 2017-08-31   

一種在鋯鋁碳/碳化硅復(fù)合材料表面制備ZrB2/SiC涂層的方法

申請(qǐng)?zhí)?201710245487.3申請(qǐng)日:2017.04.14國(guó)家/省市:中國(guó)河南(41)公開(kāi)號(hào):107056303A公開(kāi)日:2017.08.18主分類(lèi)號(hào):C04B3...

鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工

鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工
鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工
鋁基碳化硼復(fù)合材料的SiC磨料輔助電化學(xué)加工

作者:M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要:新型工業(yè)產(chǎn)業(yè)對(duì)輕量級(jí)材料的需求促使了鋁基復(fù)合材料的研發(fā)和制備。在諸多AMMCs中...

日期 2017-02-24   
熱模壓結(jié)合化學(xué)氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復(fù)合材料的方法

熱模壓結(jié)合化學(xué)氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復(fù)合材料的方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01610190733.5申請(qǐng)人:西北工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:劉永勝趙志峰游薔薇趙明晞張青成來(lái)飛摘要:本發(fā)明涉...

日期 2016-08-09   

MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜

MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜
MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設(shè)備的β-SiC薄膜

作者:SangHunNam,MyoungHwaKim,JinHyoBoo摘要:利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法在真空(2.0×10?-6托)和不同溫度范圍(7

日期 2016-04-14   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會(huì)

第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石...

2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國(guó)際會(huì)展中心隆重開(kāi)幕。本次展覽會(huì)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國(guó)機(jī)精工股份有限公司、中國(guó)機(jī)械國(guó)際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國(guó)磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

中國(guó)人造金剛石誕生60周年

中國(guó)人造金剛石誕生60周年

1963年,我國(guó)成功研制出第一顆人造金剛石,經(jīng)過(guò)幾代人的拼搏奮斗,實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有、從小到大、從弱到強(qiáng)的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國(guó)航空航天、國(guó)防軍工、機(jī)床機(jī)械等領(lǐng)域發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術(shù)的選代,金剛石民用領(lǐng)域—培育鉆石迎來(lái)了自己的大爆發(fā),中國(guó)占據(jù)了世界培育鉆石產(chǎn)量的80%以上,近幾年在國(guó)際上產(chǎn)生了巨大影響力。

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