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一種用于存儲器硬盤的CMP漿料及使用該漿料的拋光方法

關鍵詞 存儲器 , 硬盤 , 拋光|2017-11-15 10:47:49|行業專利|來源 中國磨料磨具網
摘要 申請號:201610247000.0申請日:2016.04.19國家/省市:中國江蘇(32)公開號:107304331A公開日:2017.10.31主分類號:C09G1/02(20...

申請號:201610247000.0

申請日:2016.04.19

國家/省市:中國江蘇(32)

公開號:107304331A

公開日:2017.10.31

主分類號:C09G 1/02(2006.01)

分類號:C09G 1/02(2006.01); B24B 1/00(2006.01)

申請人:江蘇天恒納米科技股份有限公司

發明人:仲躋和

申請人地址:江蘇省南通市城東鎮東海大道(東)18號


摘要: 本發明公開了一種用于存儲器硬盤的CMP漿料及使用該漿料的拋光方法,包括CMP漿料組合物和研磨料,CMP漿料組合物包括含有羥基、羧基或其兩者的化合物、輔助添加劑以及去離子水,研磨料為二氧化硅溶膠,其中將二氧化硅溶膠加入CMP漿料組合物中并加入去離子水稀釋,直至CMP漿料體系的粘度小于10(mPa.s),pH值在9.0?10.0之間波動。本發明在CMP漿料體系中增加輔助添加劑,用以提高CMP漿料的研磨拋光效果,且研磨料采用堿性球形納米粒子,其硬度小,能夠解決傳統CMP漿料對硬盤基片的劃傷問題,且穩定性高,對設備要求低,使得該CMP漿料的拋光選擇性高,可操作性強,可廣泛用于存儲器硬盤的拋光領域。


主權利要求

1.一種用于存儲器硬盤的CMP漿料,包括CMP漿料組合物和研磨料,其特征在于:所述CMP漿料組合物包括含有羥基、羧基或其兩者的化合物、輔助添加劑以及去離子水,所述研磨料為二氧化硅溶膠,其中將二氧化硅溶膠加入CMP漿料組合物中并加入去離子水稀釋,直至CMP漿料體系的粘度小于10(mPa.s),pH值在9.0-10.0之間波動。

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