市面上一般有三種材料可作為襯底：藍寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中藍寶石是使用最多的襯底材料，具有生產技術成熟、器件質量較好、穩定性好、機械強度高、易于處理和清洗等優點。但是它也有許多不能克服的缺點：第一，晶格失配和熱應力失配會導致外延層中產生大量缺陷，同時給后續的器件加工工藝造成困難；第二，藍寶石是絕緣體，電阻率很大，無法制成垂直結構的器件；第三，通常只在外延層上表面制作N型和P型電極，造成了有效發光面積減少，材料利用率降低；第四，藍寶石的硬度非常高，僅次于金剛石，難以對它進行薄化和切割；第五，藍寶石導熱性能不是很好，因此在使用半導體照明器件時，會傳導出大量的熱量，對面積較大的大功率器件，導熱性能是一個非常重要的考慮因素。

       為了解決上述難題，改善LED器件的導熱和導電性能，越來越多的企業開始在光電器件中采用碳化硅或者硅襯底，國內公司在這類襯底材料的研發和加工上亦取得不小進展。

       性能優越的碳化硅襯底

       目前國內能生產和加工碳化硅襯底的公司有北京天科合達藍光半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司等，能提供硅襯底的有江西晶能光電有限公司。

       據天岳總工程師高玉強介紹，碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，也是目前發展最為成熟的第三代半導體材料。它具有優良的熱學、力學、化學和電學性質，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時又可以用作基于氮化鎵的藍光發光二極管的襯底材料，可廣泛應用在電力電子領域、微波器件領域和LED光電子領域。寬帶隙半導體材料碳化硅所制作的功率器件可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做得更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。其實在微波器件領域，碳化硅早在2006年就完全替代了藍寶石作為氮化鎵外延襯底。

        “從材料性能上來講碳化硅是非常優越的，它的禁帶寬度是硅的3倍，飽和電子漂移速率高于硅2倍，臨界擊穿電場高于硅10倍，高于砷化鎵5倍；熱導率大于藍寶石20倍，是砷化鎵的10倍；還有它的化學穩定性很好。”高玉強指出。另外，從結構上比較，藍寶石不是半導體而是絕緣體，它只能做單面電極；碳化硅是導電的半導體，它可以做垂直結構。碳化硅襯底的導熱性能要比藍寶石高10倍以上。藍寶石本身是熱的不良導體，并且在制造器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。而使用碳化硅襯底的芯片電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。據了解，目前碳化硅襯底LED最高流明效率可達254lm/W。

       高玉強表示，碳化硅與氮化鎵外延層的結構和晶格常數匹配，化學特性相容，具有高熱導率及與外延層熱膨脹系數相近等特點，是氮化鎵基發光二極管(LED)和激光二極管(LD)的熱門襯底材料之一，將在半導體照明產業扮演重要角色。

       美國Cree公司是全球知名的半導體照明解決方案提供商，其市場優勢主要就是來源于碳化硅材料以及用此來外延芯片和制備相關器件。此類技術在幾年前還是由該公司壟斷，現今包括天岳在內的國內企業已經突破了專利壁壘，掌握了具有自主知識產權的碳化硅生產和加工技術。

       “世界上能夠生產碳化硅單晶的企業極少，最大的碳化硅單晶是Cree公司生產的6英寸單晶，也只有他們一家能做到6英寸，其他最高做到4英寸，目前天岳也是做到4英寸。碳化硅單晶的加工技術很難，但是我們的碳化硅單晶襯底的TTV、BOW、WARP均可達到國際先進水平。現在天岳可年產2萬片碳化硅單晶襯底，可批量提供‘開盒即用’襯底。”高玉強介紹道。

       來自Cree的數據表明，使用碳化硅襯底的LED器件可以做到長達50，000小時的70%光維持率壽命，光衰小，壽命長。高玉強指出，光衰從微觀上看其實就是材料的異質外延導致的缺陷增值。襯底上的缺陷主要有微管缺陷和位錯缺陷。微管缺陷密度是貫穿半導體材料的一個問題，是表征碳化硅襯底質量最重要的指標，也是衡量不同單位技術水平的重要指標。一般工業級碳化硅襯底要求微管密度小于5個/cm2，目前天岳可以生產微管密度小于1個/cm2的碳化硅襯底。另一個影響襯底質量的缺陷是位錯缺陷密度，而且襯底中的位錯缺陷還會衍生到外延層，影響器件性能。一般藍寶石襯底位錯密度為十的三次方，外延了氮化鎵之后的位錯密度至少會達到十的八、九次方，更嚴重的還可以達到十的十三次方，天岳目前碳化硅襯底外延氮化鎵之后只有十的四次方左右，遠遠小于藍寶石的。

       應用于大功率LED可望而且可及

       一般來說，LED對襯底有許多要求，包括結構特性好、化學穩定性好、熱學性能好、導電性好、機械性能好、成本低廉等等。拿藍寶石、碳化硅和硅這三大襯底材料做對比，從導熱系數、膨脹系數、穩定性、導熱性、成本、ESD幾個方面看，碳化硅除了成本高外其他均占優勢(如文中下表所示)。不過目前國內LED產業競爭激烈，對成本要求苛刻，那么價格相對藍寶石和硅材料較為昂貴的碳化硅襯底在國內能否有好的發展前景？

       “中國LED行業發展面臨技術升級和產業重組，要使中國LED產業得到健康發展，就需要多方面綜合發展。就上游而言，不僅僅需要發展藍寶石襯底，也需要發展碳化硅和硅材料襯底。目前在碳化硅襯底上制作大功率LED已經是一件可望而且可及的目標，如果國內廣大LED廠商不及時介入將會錯失良機。”高玉強說道。其實政府也發布了許多產業政策來推動碳化硅發展，例如在“十二五規劃”中就明確提到支持碳化硅等先進半導體技術的開發，工信部、國家發改委和科技部也都有相關政策來支持碳化硅單晶襯底產業化。

       “技術的發展是讓高質量、高技術的產品進入市場，讓消費者獲益。價格不是普及化的唯一問題，好的產品總會有客戶。”高玉強表示。他指出，用碳化硅做光電器件襯底主要挑戰是成本仍相對較高、技術門檻較高和專利技術不足，同時也面臨著行業壟斷者的專利威脅。不過大功率LED市場需求巨大，碳化硅材料性能優越，可以很好滿足大功率LED需求。隨著國內LED行業日趨成熟、產業鏈逐漸完善、規模逐漸擴大、產業不斷引進高端技術人才、生產加工技術日趨成熟，使材料尺寸和質量迅速提高、價格迅速下降，碳化硅襯底在國內會有很好的發展前景。

       “半導體照明市場有高中低端之分，碳化硅襯底LED定位在高端，碳化硅基光電子器件具有功率大、能耗低、發光效率高等顯著優勢，特別適合制備低能耗大功率白光產品(5W以上)，在未來的路燈和室外照明領域具有巨大的市場潛力，用碳化硅做襯底將只是時間問題。”高玉強說道。