飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒有透露。
　　飛兆半導(dǎo)體董事會(huì)主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOSFET、IGBT等芯片完美結(jié)合，使我們繼續(xù)保持在高性能功率半導(dǎo)體中的領(lǐng)先地位。”
　　資料顯示，TranSiC是SiC專家Swedish于2005年建立的。它是從斯德哥爾摩的Royal Institute of Technology （KTH）公司分離出來的。
　　TranSiC公司的CEO BoHammarlund曾表示，TranSiC公司的產(chǎn)品開關(guān)性能相比于同類產(chǎn)品也很優(yōu)秀。公司從各種各樣的貨源購買SiC晶片和外部材料，但是關(guān)鍵的芯片處理全部完成與KTH的實(shí)驗(yàn)室中。
　　在性能上的增長，純硅功率晶體管有著令人羨慕的成績(jī)，然而，對(duì)于高要求的功率開關(guān)和控制的應(yīng)用上，它似乎已經(jīng)到達(dá)了它的極限。
　　碳化硅（SiC），作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有潛在的優(yōu)點(diǎn)：更小的體積、更有效率、完全去除開關(guān)損耗、低漏極電流、比標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體（純硅半導(dǎo)體）更高的開關(guān)頻率以及在標(biāo)準(zhǔn)的125℃結(jié)溫以上工作的能力。小型化和高工作耐溫使得這些器件的使用更加自如，甚至可以將這些器件直接置于電機(jī)的外殼內(nèi)。
　　任何一種新技術(shù)都會(huì)經(jīng)歷由發(fā)展到成熟的過程，SiC也不例外。標(biāo)準(zhǔn)功率開關(guān)，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），有很大的產(chǎn)品基礎(chǔ)和優(yōu)化的生產(chǎn)技術(shù)。而SiC卻需要投入大量經(jīng)費(fèi)和研發(fā)資金來解決材料問題和完善半導(dǎo)體制造技術(shù)。然而這種功率開關(guān)器件，能夠在正向?qū)ù箅娏骱头聪蚪刂骨Х妷褐g快速執(zhí)行開關(guān)動(dòng)作，這樣的性能是值得一試的。
　　SiC最初的成功應(yīng)用和主要應(yīng)用發(fā)光二極管，用于汽車頭燈和儀表盤其他照明場(chǎng)合。其他的市場(chǎng)包括開關(guān)電源和肖特基勢(shì)壘二極管。將來會(huì)應(yīng)用到包括混合動(dòng)力車輛、功率轉(zhuǎn)換器（用于減小有源前置濾波器的體積）和交流/直流電機(jī)控制上。這些更高要求的應(yīng)用還沒有商業(yè)化，因?yàn)樗鼈冃枰哔|(zhì)量的材料和大規(guī)模的生產(chǎn)力來降低成本。在全世界范圍內(nèi)，大量的研究經(jīng)費(fèi)投入到了公司、實(shí)驗(yàn)室和政府設(shè)施，以使SiC技術(shù)更加可行。一些專家預(yù)言，SiC技術(shù)的商業(yè)化、工業(yè)化甚至軍工應(yīng)用將在2到5年或者更遠(yuǎn)的時(shí)間內(nèi)變成現(xiàn)實(shí)。