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西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展
西安交大研究團隊“2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底實現國產化”榮獲2024年度中國第三代半導體技術十大進展

金剛石作為一種“終極半導體材料”,在力、熱、聲、光、電等方面都具有十分優異的性能,如超寬禁帶、高載流子遷移率、超高熱導率、高擊穿電場等,在高溫、高效、超高頻、超大功率半...

日期 2024-12-02   
惠豐鉆石:研發費用增長59.56%,第三代半導體領域和培育鉆石業務增長迅速

惠豐鉆石:研發費用增長59.56%,第三代半導體領域和培育鉆石業務增長迅速

礦山中龐大的大理石原石,用一根金剛石線鋸,就可以像切蛋糕一樣,切割成表面較為光滑平整的石料切片......

日期 2024-03-26   

第三代半導體需求釋放 碳化硅趁勢崛起

半導體行業從誕生至今,經過近六十年的發展先后經歷了三次明顯的換代和發展。其中,第三代半導體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN,相比于第一、二代半導體,其具有更高的禁...

日期 2021-05-31   

第三代半導體將迎大爆發?

日前,阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什么不同?為何這兩年會成為爆發...

日期 2021-01-05   

中國正迎來第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期

中國正迎來第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期
中國正迎來第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期
中國正迎來第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期

2020年11月23-25日,第十七屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2020)暨2020國際第三代半導體論壇(IFWS2020)在深圳會展中心成功召開。本屆論...

日期 2020-12-04   

我國第三代半導體市場規模將保持高速增長

賽迪顧問股份有限公司、新材料產業研究中心近日發布的《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》認為,在5G、新能源汽車、綠色照明、快充等新興領域蓬勃...

日期 2020-09-08   

世界半導體大會召開在即 第三代半導體望受關注

2020世界半導體大會將于8月26日至28日在南京舉辦,大會由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院等部門主辦。大會以“開放合作、世界同芯”為主題,議題涵蓋產業...

日期 2020-08-26   

第三代半導體將催生萬億元市場

日前,第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為,第三代半導體未來應用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突...

日期 2019-10-24   

我國第三代半導體器件制備及評價技術取得突破

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子...

日期 2018-09-03   

我國碳化硅等第三代半導體材料制造設備取得新突破

10月24日從科技部獲悉,近日,863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(...

日期 2017-11-08   

第三代半導體前景廣闊 多家上市公司積極布局

國內光電龍頭公司三安光電正加速布局第三代半導體產業,或預示這個細分領域進入爆發前夜。最近兩天,在昆山舉辦的“2017中國集成電路產業促進大會高峰論壇”上,5G與化合物半...

日期 2017-10-26   

我國第三代半導體材料發展面臨著哪些瓶頸?

近年來,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場前景,成為全球半導體市場爭奪的焦點。如今,以第三代半導體材...

日期 2016-10-31   

第三代半導體SiC技術的崛起

第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起

第一代半導材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群,促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生,95%以上的半導體器件和99%以上...

日期 2015-01-17   

碳化硅等第三代半導體風生水起

第一代半導體硅(Si),主要應用在數據運算領域,第二代半導體砷化鎵(GaAs),主要應用在通信領域,兩者都有一定的局限性,而第三代寬禁帶半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(...

日期 2013-08-30   

碳化硅等第三代半導體涉及國防仍被國外壟斷

據中國科學報報道由于我國在第三代半導體材料相關研究領域起步較晚,目前在材料的自主制備上仍面臨難關。同時,我國對基礎的材料問題關注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠,相關人...

日期 2013-08-01   

第三代半導體碳化硅項目落戶中關村海淀園

經過近一年的推進工作,美國羅格斯大學趙建輝教授的第三代半導體碳化硅(SiC)外延及器件產業化項目,目前已確定落戶中關村海淀園。該項目中試及初期生產場地最終確定在海淀東升...

日期 2011-06-21   

碳化硅晶體擔綱第三代半導體材料

近日,有專家預測,環保產業發展面臨重大發展機遇,具有龐大的市場空間。碳化硅晶體是第三代半導體材料,是半導體照明產業的基石,天富熱電屬下北京天科合達藍光半導體公司制造的碳...

日期 2007-11-13   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石...

2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

中國人造金剛石誕生60周年

中國人造金剛石誕生60周年

1963年,我國成功研制出第一顆人造金剛石,經過幾代人的拼搏奮斗,實現了從無到有、從小到大、從弱到強的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機床機械等領域發揮著愈發重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術的選代,金剛石民用領域—培育鉆石迎來了自己的大爆發,中國占據了世界培育鉆石產量的80%以上,近幾年在國際上產生了巨大影響力。

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